casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / CSD23202W10
codice articolo del costruttore | CSD23202W10 |
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Numero di parte futuro | FT-CSD23202W10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NexFET™ |
CSD23202W10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | -6V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 512pF @ 6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DSBGA (1x1) |
Pacchetto / caso | 4-UFBGA, DSBGA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD23202W10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CSD23202W10-FT |
CSD18532NQ5BT
Texas Instruments
CSD16321Q5
Texas Instruments
CSD16322Q5
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Texas Instruments
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
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XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
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EP1S40F780C5
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EPF6024AQC240-3
Intel