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Texas Instruments CSD23202W10

Numero parte MFG
CSD23202W10
quantità disponibile
89940 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.11776
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Data di spedizione
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fabbricante
Texas Instruments
Breve descrizione
NexFET™ MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore CSD23202W10
Numero di parte futuro FT-CSD23202W10
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie NexFET™
CSD23202W10 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.8nC @ 4.5V
Vgs (massimo) -6V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 512pF @ 6V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 4-DSBGA (1x1)
Pacchetto / caso 4-UFBGA, DSBGA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD23202W10 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio CSD23202W10-FT

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