casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPP100N04S2L-03
codice articolo del costruttore | SPP100N04S2L-03 |
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Numero di parte futuro | FT-SPP100N04S2L-03 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
SPP100N04S2L-03 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPP100N04S2L-03 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPP100N04S2L-03-FT |
IPP65R380E6XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R420CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R600C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R600E6XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R660CFDAAKSA1
Infineon Technologies
IPP65R660CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPP70N04S307AKSA1
Infineon Technologies
IPP70N10S3L12AKSA1
Infineon Technologies
IPP70N10SL16AKSA1
Infineon Technologies
IPP70P04P409AKSA1
Infineon Technologies
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel