casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP65R660CFDAAKSA1
codice articolo del costruttore | IPP65R660CFDAAKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP65R660CFDAAKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
IPP65R660CFDAAKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660 mOhm @ 3.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 543pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 62.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP65R660CFDAAKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP65R660CFDAAKSA1-FT |
IPP147N03L G
Infineon Technologies
IPP14N03LA
Infineon Technologies
IPP16CN10LGXKSA1
Infineon Technologies
IPP16CN10NGHKSA1
Infineon Technologies
IPP16CNE8N G
Infineon Technologies
IPP180N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP200N15N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP21N03L G
Infineon Technologies
IPP220N25NFDAKSA1
Infineon Technologies
IPP22N03S4L15AKSA1
Infineon Technologies
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel