casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP65R600C6XKSA1
codice articolo del costruttore | IPP65R600C6XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP65R600C6XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPP65R600C6XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 63W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP65R600C6XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP65R600C6XKSA1-FT |
IPP139N08N3 G
Infineon Technologies
IPP13N03LB G
Infineon Technologies
IPP147N03L G
Infineon Technologies
IPP14N03LA
Infineon Technologies
IPP16CN10LGXKSA1
Infineon Technologies
IPP16CN10NGHKSA1
Infineon Technologies
IPP16CNE8N G
Infineon Technologies
IPP180N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP200N15N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP21N03L G
Infineon Technologies
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
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LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2N
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LFEC1E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C6N
Intel