casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPP65R380E6XKSA1
codice articolo del costruttore | IPP65R380E6XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP65R380E6XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPP65R380E6XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 3.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 320µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP65R380E6XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP65R380E6XKSA1-FT |
IPP12CN10NGXKSA1
Infineon Technologies
IPP12CNE8N G
Infineon Technologies
IPP139N08N3 G
Infineon Technologies
IPP13N03LB G
Infineon Technologies
IPP147N03L G
Infineon Technologies
IPP14N03LA
Infineon Technologies
IPP16CN10LGXKSA1
Infineon Technologies
IPP16CN10NGHKSA1
Infineon Technologies
IPP16CNE8N G
Infineon Technologies
IPP180N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation