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codice articolo del costruttore | IPP70N10SL16AKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPP70N10SL16AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
IPP70N10SL16AKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 2mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4540pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 250W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP70N10SL16AKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPP70N10SL16AKSA1-FT |
IPP16CNE8N G
Infineon Technologies
IPP180N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP200N15N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP21N03L G
Infineon Technologies
IPP220N25NFDAKSA1
Infineon Technologies
IPP22N03S4L15AKSA1
Infineon Technologies
IPP230N06L3 G
Infineon Technologies
IPP25N06S325XK
Infineon Technologies
IPP25N06S3L-22
Infineon Technologies
IPP260N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel