casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / SMUN5111DW1T1G
codice articolo del costruttore | SMUN5111DW1T1G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SMUN5111DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SMUN5111DW1T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300nA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Potenza - Max | 385mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMUN5111DW1T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMUN5111DW1T1G-FT |
NST847BDP6T5G
ON Semiconductor
NST3904DP6T5G
ON Semiconductor
NST847BPDP6T5G
ON Semiconductor
NST857BDP6T5G
ON Semiconductor
NSVT3904DP6T5G
ON Semiconductor
NST3946DP6T5G
ON Semiconductor
NST3946DXV6T1G
ON Semiconductor
EMT1DXV6T1G
ON Semiconductor
SBC847BPDXV6T1G
ON Semiconductor
EMT1DXV6T5G
ON Semiconductor
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-5FT256C
Xilinx Inc.
A54SX08-1VQG100I
Microsemi Corporation
5CGTFD5F5M11C7N
Intel
EP3SL110F1152C2N
Intel
LFXP10C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34E3LG
Intel
EP20K200RC240-1X
Intel
EPF8820ARC208-4
Intel