casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SLA5059
codice articolo del costruttore | SLA5059 |
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Numero di parte futuro | FT-SLA5059 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SLA5059 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 2A, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 10V |
Potenza - Max | 5W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 12-SIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | 12-SIP w/fin |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SLA5059 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SLA5059-FT |
SQJB42EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJB60EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJB68EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJB70EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ940EP-T1_GE3
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SQJ200EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ202EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ204EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ244EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQJ260EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
XC2S200-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S300E-6PQG208C
Xilinx Inc.
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29C3N
Intel
5AGXMA1D6F27C6N
Intel
XC2VP50-6FF1148I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EPF8636AQC160-4N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel