casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SQJB68EP-T1_GE3
codice articolo del costruttore | SQJB68EP-T1_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQJB68EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJB68EP-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 92 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 25V |
Potenza - Max | 27W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJB68EP-T1_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQJB68EP-T1_GE3-FT |
ALD111933SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1101ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110908ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1101SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1117SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110914SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110900ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110902SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110904SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1101BSAL
Advanced Linear Devices Inc.
XC7S100-1FGGA676I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8ES
Intel
5SGXMB6R2F40I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG676C
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100I
Microsemi Corporation