casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SQJB68EP-T1_GE3
codice articolo del costruttore | SQJB68EP-T1_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQJB68EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJB68EP-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 92 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 25V |
Potenza - Max | 27W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJB68EP-T1_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQJB68EP-T1_GE3-FT |
ALD111933SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1101ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110908ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1101SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1117SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110914SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110900ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110902SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110904SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1101BSAL
Advanced Linear Devices Inc.
A3PE3000-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-LCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL010ZE144I8G
Intel
5SGXEA7K2F35C2N
Intel
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
10AX057K4F35E3LG
Intel
EP2S90F780I4N
Intel
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Intel