casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SQJB68EP-T1_GE3
codice articolo del costruttore | SQJB68EP-T1_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQJB68EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJB68EP-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 92 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 25V |
Potenza - Max | 27W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJB68EP-T1_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQJB68EP-T1_GE3-FT |
ALD111933SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1101ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110908ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1101SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1117SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110914SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110900ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110902SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110904SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1101BSAL
Advanced Linear Devices Inc.
XC4006E-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256T
Microsemi Corporation
A1020B-1PL68C
Microsemi Corporation
EPF8282ATI100-3N
Intel
5SGXMA7N2F45C2LN
Intel
XC7A35T-1CS324I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K300ERC208-2
Intel