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Vishay Siliconix SQJ200EP-T1_GE3

Name: SQJ200EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ200EP-T1_GE3
Price: 0.39424 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (480 reviews)

Numero parte MFG: SQJ200EP-T1_GE3

quantità disponibile: 33140 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.39424

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SQJ200EP-T1_GE3.pdf

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SQJ200EP-T1_GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SQJ200EP-T1_GE3
Numero di parte futuro	FT-SQJ200EP-T1_GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQJ200EP-T1_GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A, 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	975pF @ 10V
Potenza - Max	27W, 48W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	PowerPAK® SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQJ200EP-T1_GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SQJ200EP-T1_GE3-FT

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