casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SQJ200EP-T1_GE3
codice articolo del costruttore | SQJ200EP-T1_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQJ200EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJ200EP-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A, 60A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 975pF @ 10V |
Potenza - Max | 27W, 48W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJ200EP-T1_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQJ200EP-T1_GE3-FT |
ALD1101SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1117SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110914SAL
Advanced Linear Devices Inc.
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Advanced Linear Devices Inc.
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Advanced Linear Devices Inc.
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Advanced Linear Devices Inc.
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Advanced Linear Devices Inc.
ALD1102ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
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Advanced Linear Devices Inc.
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
A1020B-1PQ100I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
5AGZME7K2F40C3N
Intel
5SGXEB6R2F43I3L
Intel
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Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
EP3SE80F1152C2N
Intel
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Xilinx Inc.
XC4036XL-2HQ208C
Xilinx Inc.
XC7K480T-2FFG1156C
Xilinx Inc.