casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SQJB60EP-T1_GE3
codice articolo del costruttore | SQJB60EP-T1_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQJB60EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJB60EP-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
Potenza - Max | 48W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJB60EP-T1_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQJB60EP-T1_GE3-FT |
ALD1116SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD111933SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1101ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110908ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1101SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1117SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110914SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110900ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110902SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110904SAL
Advanced Linear Devices Inc.
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
LFXP6C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU035-1FBVA676C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-L1FGG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
A3P600-2FG256
Microsemi Corporation
EP3C5U256C6N
Intel
XC6VLX365T-1FFG1759I
Xilinx Inc.