casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SQJ260EP-T1_GE3
codice articolo del costruttore | SQJ260EP-T1_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQJ260EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJ260EP-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc), 54A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 6A, 10V, 8.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V, 40nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V |
Potenza - Max | 27W (Tc), 48W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJ260EP-T1_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQJ260EP-T1_GE3-FT |
ALD110902SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110904SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1101BSAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1102ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1102BSAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110900SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110908SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1110ESAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1115SAL
Advanced Linear Devices Inc.
XCS40XL-5CS280C
Xilinx Inc.
M1A3P250-1PQ208
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
EP3SL50F484C4
Intel
5SGXEA7N2F45I2
Intel
XC4010XL-2PC84C
Xilinx Inc.
XC7A75T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-9400E-5MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7ES
Intel
5CEBA4U15I7N
Intel