casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SQJ260EP-T1_GE3
codice articolo del costruttore | SQJ260EP-T1_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQJ260EP-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQJ260EP-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc), 54A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 6A, 10V, 8.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V, 40nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V |
Potenza - Max | 27W (Tc), 48W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQJ260EP-T1_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQJ260EP-T1_GE3-FT |
ALD110902SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110904SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1101BSAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1102ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1102BSAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110900SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110908SAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1110ESAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1115SAL
Advanced Linear Devices Inc.
EPF10K50ETC144-3
Intel
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FG456C
Xilinx Inc.
APA075-FG144I
Microsemi Corporation
LFE5U-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2
Intel
EP20K200FI484-2V
Intel
EP4SGX230KF40I3N
Intel
XA7A100T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation