casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIR800DP-T1-RE3
codice articolo del costruttore | SIR800DP-T1-RE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIR800DP-T1-RE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen III |
SIR800DP-T1-RE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 133nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5125pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 69W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR800DP-T1-RE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIR800DP-T1-RE3-FT |
FDP2D3N10C
ON Semiconductor
SCTH90N65G2V-7
STMicroelectronics
SCTW90N65G2V
STMicroelectronics
GA50JT06-258
GeneSiC Semiconductor
NVATS5A304PLZT4G
ON Semiconductor
NVB082N65S3F
ON Semiconductor
NVBLS0D5N04M8TXG
ON Semiconductor
DMN2080UCB4-7
Diodes Incorporated
2SJ649-AZ
Renesas Electronics America
BSP75GQTC
Diodes Incorporated
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel