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STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7

Name: SCTH90N65G2V-7
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCTH90N65G2V-7
Price: 37.7128 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (413 reviews)

Numero parte MFG: SCTH90N65G2V-7

quantità disponibile: 62480 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 37.7128

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fabbricante: STMicroelectronics

Breve descrizione: - SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SCTH90N65G2V-7.pdf

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SCTH90N65G2V-7 specificazioni

codice articolo del costruttore	SCTH90N65G2V-7
Numero di parte futuro	FT-SCTH90N65G2V-7
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
SCTH90N65G2V-7 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	90A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	157nC @ 18V
Vgs (massimo)	+22V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3300pF @ 400V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	330W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	H2PAK-7
Pacchetto / caso	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCTH90N65G2V-7 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SCTH90N65G2V-7-FT

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