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STMicroelectronics SCTW90N65G2V
- Numero parte MFG
- SCTW90N65G2V
- quantità disponibile
- 15830 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 48.12
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- STMicroelectronics
- Breve descrizione
- - SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- SCTW90N65G2V.pdf
SCTW90N65G2V specificazioni
| codice articolo del costruttore | SCTW90N65G2V |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-SCTW90N65G2V |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| SCTW90N65G2V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 50A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 157nC @ 18V |
| Vgs (massimo) | +22V, -10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3300pF @ 400V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 390W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | HiP247™ |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SCTW90N65G2V Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | SCTW90N65G2V-FT |
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