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STMicroelectronics SCTW90N65G2V

Name: SCTW90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCTW90N65G2V
Price: 48.12 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (174 reviews)

Numero parte MFG: SCTW90N65G2V

quantità disponibile: 15830 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 48.12

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: STMicroelectronics

Breve descrizione: - SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SCTW90N65G2V.pdf

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SCTW90N65G2V specificazioni

codice articolo del costruttore	SCTW90N65G2V
Numero di parte futuro	FT-SCTW90N65G2V
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
SCTW90N65G2V Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	90A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	157nC @ 18V
Vgs (massimo)	+22V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3300pF @ 400V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	390W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	HiP247™
Pacchetto / caso	TO-247-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCTW90N65G2V Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SCTW90N65G2V-FT

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