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Diodes Incorporated DMN2080UCB4-7

Numero parte MFG
DMN2080UCB4-7
quantità disponibile
58970 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.120904
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fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
- MOSFET BVDSS 8V24V X2-WLB0808-
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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DMN2080UCB4-7 specificazioni

codice articolo del costruttore DMN2080UCB4-7
Numero di parte futuro FT-DMN2080UCB4-7
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMN2080UCB4-7 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 710mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore X2-WLB0606-4
Pacchetto / caso 4-XFBGA, WLBGA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN2080UCB4-7 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio DMN2080UCB4-7-FT

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