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ON Semiconductor NVBLS0D5N04M8TXG

Name: NVBLS0D5N04M8TXG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVBLS0D5N04M8TXG
Price: 2.20948 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (787 reviews)

Numero parte MFG: NVBLS0D5N04M8TXG

quantità disponibile: 37930 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 2.20948

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101 NMOS TOLL 40V 0.65 MOHM

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NVBLS0D5N04M8TXG.pdf

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NVBLS0D5N04M8TXG specificazioni

codice articolo del costruttore	NVBLS0D5N04M8TXG
Numero di parte futuro	FT-NVBLS0D5N04M8TXG
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
NVBLS0D5N04M8TXG Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	300A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.57 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	296nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	15900pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	429W (Tj)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-HPSOF
Pacchetto / caso	8-PowerSFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVBLS0D5N04M8TXG Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NVBLS0D5N04M8TXG-FT

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