casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI4804BDY-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI4804BDY-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4804BDY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4804BDY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 1.1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4804BDY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4804BDY-T1-GE3-FT |
SI4909DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4922BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4932DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4946CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI9933CDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SH8K3TB1
Rohm Semiconductor
SI4532CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4590DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4925BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4931DY-T1-E3
Vishay Siliconix
XC6SLX150-3FG900C
Xilinx Inc.
APA450-FG484A
Microsemi Corporation
A54SX16-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2S30F672C5N
Intel
EP20K200EFC672-2X
Intel
10M16DAF256I6G
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XC4003E-4PC84I
Xilinx Inc.
AGL400V5-FG144I
Microsemi Corporation
A40MX04-3PQG100
Microsemi Corporation