casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI4946CDY-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI4946CDY-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4946CDY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4946CDY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40.9 mOhm @ 5.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 30V |
Potenza - Max | 2W (Ta), 2.8W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4946CDY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4946CDY-T1-GE3-FT |
FDW2507NZ
ON Semiconductor
FDW2508P
ON Semiconductor
FDW2508PB
ON Semiconductor
FDW2510NZ
ON Semiconductor
FDW2511NZ
ON Semiconductor
FDW2512NZ
ON Semiconductor
FDW2516NZ
ON Semiconductor
FDW2520C
ON Semiconductor
FDW2521C
ON Semiconductor
FDW2601NZ
ON Semiconductor
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
LFE2-70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-1VQ100T
Microsemi Corporation
10M16DCF256C7G
Intel
5SGXMA7K1F40C2N
Intel
5SGSED6K2F40I2LN
Intel
EP4CE10E22A7N
Intel
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation