casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI4922BDY-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI4922BDY-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4922BDY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4922BDY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2070pF @ 15V |
Potenza - Max | 3.1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4922BDY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4922BDY-T1-GE3-FT |
FDW2506P
ON Semiconductor
FDW2507N
ON Semiconductor
FDW2507NZ
ON Semiconductor
FDW2508P
ON Semiconductor
FDW2508PB
ON Semiconductor
FDW2510NZ
ON Semiconductor
FDW2511NZ
ON Semiconductor
FDW2512NZ
ON Semiconductor
FDW2516NZ
ON Semiconductor
FDW2520C
ON Semiconductor
LFE2-20SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005-4AC
Microchip Technology
5SGXEA3K2F40C1N
Intel
EP4SGX360KF40C2N
Intel
XC7VX485T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-2FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-3
Intel
5CEBA2U15I7
Intel