casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI4532CDY-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI4532CDY-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4532CDY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4532CDY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A, 4.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 305pF @ 15V |
Potenza - Max | 2.78W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4532CDY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4532CDY-T1-GE3-FT |
FDW2510NZ
ON Semiconductor
FDW2511NZ
ON Semiconductor
FDW2512NZ
ON Semiconductor
FDW2516NZ
ON Semiconductor
FDW2520C
ON Semiconductor
FDW2521C
ON Semiconductor
FDW2601NZ
ON Semiconductor
FDW9926A
ON Semiconductor
FDW9926NZ
ON Semiconductor
IRF7750
Infineon Technologies
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50U484C8
Intel
EP2AGZ225HF40C4N
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
XC7K325T-1FB676C
Xilinx Inc.
M2GL090-FGG676
Microsemi Corporation
EP1C20F400C8N
Intel