casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI4909DY-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI4909DY-T1-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SI4909DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4909DY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 20V |
Potenza - Max | 3.2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4909DY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4909DY-T1-GE3-FT |
FDW2504P
ON Semiconductor
FDW2506P
ON Semiconductor
FDW2507N
ON Semiconductor
FDW2507NZ
ON Semiconductor
FDW2508P
ON Semiconductor
FDW2508PB
ON Semiconductor
FDW2510NZ
ON Semiconductor
FDW2511NZ
ON Semiconductor
FDW2512NZ
ON Semiconductor
FDW2516NZ
ON Semiconductor
XC2VP2-5FG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-N3FG484I
Xilinx Inc.
ICE40LM4K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP3C16F256C7N
Intel
XC3030-100PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4N
Intel
EPF10K70RC240-4N
Intel