casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI3981DV-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI3981DV-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI3981DV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI3981DV-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 1.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 800mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3981DV-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI3981DV-T1-GE3-FT |
SI5948DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5980DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5997DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5999EDU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIF902EDZ-T1-E3
Vishay Siliconix
SIS932EDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1029X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1026X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1024X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1016X-T1-GE3
Vishay Siliconix
A42MX24-PQG208
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C55F484C6
Intel
EP4CE30F23A7N
Intel
5SGXMA9N1F45C2LN
Intel
XC5VSX240T-1FFG1738CES
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
5AGXMB5G4F35I5N
Intel
EP20K60EQC208-2XN
Intel