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Vishay Siliconix SIS932EDN-T1-GE3

Name: SIS932EDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS932EDN-T1-GE3
Price: 0.20476 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (521 reviews)

Numero parte MFG: SIS932EDN-T1-GE3

quantità disponibile: 29720 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.20476

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: TrenchFET® MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SIS932EDN-T1-GE3.pdf

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SIS932EDN-T1-GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SIS932EDN-T1-GE3
Numero di parte futuro	FT-SIS932EDN-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET®
SIS932EDN-T1-GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 15V
Potenza - Max	2.6W (Ta), 23W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	PowerPAK® 1212-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® 1212-8 Dual
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIS932EDN-T1-GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SIS932EDN-T1-GE3-FT

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