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Vishay Siliconix SI1029X-T1-GE3

Numero parte MFG
SI1029X-T1-GE3
quantità disponibile
39150 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.15884
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fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
TrenchFET® MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-SI1029X-T1-GE3
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
SI1029X-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 305mA, 190mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V
Potenza - Max 250mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore SC-89-6
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI1029X-T1-GE3 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SI1029X-T1-GE3-FT

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