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Vishay Siliconix SI5980DU-T1-GE3

Numero parte MFG
SI5980DU-T1-GE3
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53160 pezzi
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fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
TrenchFET® MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-SI5980DU-T1-GE3
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
SI5980DU-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 567 mOhm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 78pF @ 50V
Potenza - Max 7.8W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso PowerPAK® ChipFET™ Dual
Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® ChipFet Dual
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI5980DU-T1-GE3 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SI5980DU-T1-GE3-FT

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