casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI5948DU-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI5948DU-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI5948DU-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI5948DU-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.6nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 165pF @ 20V |
Potenza - Max | 7W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® ChipFet Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5948DU-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI5948DU-T1-GE3-FT |
SIA517DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA910EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA922EDJ-T1-GE3
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SIB912DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA921EDJ-T1-GE3
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SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA913ADJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA931DJ-T1-GE3
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SIA777EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA511DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
A1425A-VQ100C
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517C4L
Intel
5SGXEA9N1F45I2N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LFEC6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F29I8LN
Intel
EP1K30QC208-3
Intel
EP4SGX290FF35C3N
Intel