casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI2392ADS-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI2392ADS-T1-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SI2392ADS-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI2392ADS-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.1A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 126 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 196pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2392ADS-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI2392ADS-T1-GE3-FT |
BSS169 E6327
Infineon Technologies
BSS169 E6906
Infineon Technologies
BSS169H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS169H6906XTSA1
Infineon Technologies
BSS169L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS169L6906HTSA1
Infineon Technologies
BSS205NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS214NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS215PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS306NL6327HTSA1
Infineon Technologies
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation