casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSS169H6327XTSA1
codice articolo del costruttore | BSS169H6327XTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSS169H6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSS169H6327XTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 170mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 0V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 7V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 68pF @ 25V |
Caratteristica FET | Depletion Mode |
Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS169H6327XTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSS169H6327XTSA1-FT |
SI3415A-TP
Micro Commercial Co
SQ2348ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
SSM3J352F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J353F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TN2404K-T1-GE3
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SI2304DDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2318CDS-T1-GE3
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SI2347DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
2SJ168TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ305TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6FN672I
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LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
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EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel