casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSS306NL6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BSS306NL6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSS306NL6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSS306NL6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57 mOhm @ 2.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 11µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 275pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS306NL6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSS306NL6327HTSA1-FT |
SI2347DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
2SJ168TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ305TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2009TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
BSS7728NH6327XTSA2
Infineon Technologies
FDN361BN
ON Semiconductor
NDS0610
ON Semiconductor
NDS356AP
ON Semiconductor
SI2314EDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
FDN327N
ON Semiconductor
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel