casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSS214NL6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BSS214NL6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSS214NL6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSS214NL6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 3.7µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 143pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS214NL6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSS214NL6327HTSA1-FT |
SI2304DDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2318CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2347DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
2SJ168TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ305TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2009TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
BSS7728NH6327XTSA2
Infineon Technologies
FDN361BN
ON Semiconductor
NDS0610
ON Semiconductor
NDS356AP
ON Semiconductor
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel