casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSS169 E6906
codice articolo del costruttore | BSS169 E6906 |
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Numero di parte futuro | FT-BSS169 E6906 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SIPMOS® |
BSS169 E6906 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 170mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 0V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 7V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 68pF @ 25V |
Caratteristica FET | Depletion Mode |
Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS169 E6906 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSS169 E6906-FT |
SI2374DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3415A-TP
Micro Commercial Co
SQ2348ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
SSM3J352F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J353F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TN2404K-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2304DDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2318CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2347DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
2SJ168TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel