casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI2325DS-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI2325DS-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI2325DS-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI2325DS-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 530mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 750mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2325DS-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI2325DS-T1-E3-FT |
SI1472DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1473DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1473DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1480DH-T1-GE3
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SI1488DH-T1-E3
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SI1488DH-T1-GE3
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SQ1420EEH-T1-GE3
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M2GL025T-1VFG256I
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