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codice articolo del costruttore | SQ1431EH-T1_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQ1431EH-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SQ1431EH-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 205pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-6 (SOT-363) |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ1431EH-T1_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQ1431EH-T1_GE3-FT |
PSMN012-80PS,127
Nexperia USA Inc.
SCT2120AFC
Rohm Semiconductor
TK13E25D,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK18E10K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK25E06K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK35E10K3(S1SS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK40E10K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK50E06K3A,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK50E08K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK55D10J1(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel