casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI1489EDH-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI1489EDH-T1-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SI1489EDH-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1489EDH-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1489EDH-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI1489EDH-T1-GE3-FT |
APT8M80K
Microsemi Corporation
BUK653R3-30C,127
Nexperia USA Inc.
BUK951R8-40EQ
NXP USA Inc.
PSMN012-80PS,127
Nexperia USA Inc.
SCT2120AFC
Rohm Semiconductor
TK13E25D,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK18E10K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK25E06K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK35E10K3(S1SS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK40E10K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel