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codice articolo del costruttore | SQ1420EEH-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQ1420EEH-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SQ1420EEH-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 1.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 215pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.3W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-6 (SOT-363) |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ1420EEH-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQ1420EEH-T1-GE3-FT |
BUK653R3-30C,127
Nexperia USA Inc.
BUK951R8-40EQ
NXP USA Inc.
PSMN012-80PS,127
Nexperia USA Inc.
SCT2120AFC
Rohm Semiconductor
TK13E25D,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK18E10K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK25E06K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK35E10K3(S1SS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK40E10K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK50E06K3A,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel