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codice articolo del costruttore | SI1480DH-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI1480DH-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1480DH-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-6 (SOT-363) |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1480DH-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI1480DH-T1-GE3-FT |
APT5F100K
Microsemi Corporation
APT6M100K
Microsemi Corporation
APT7F80K
Microsemi Corporation
APT8M80K
Microsemi Corporation
BUK653R3-30C,127
Nexperia USA Inc.
BUK951R8-40EQ
NXP USA Inc.
PSMN012-80PS,127
Nexperia USA Inc.
SCT2120AFC
Rohm Semiconductor
TK13E25D,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TK18E10K3,S1X(S
Toshiba Semiconductor and Storage
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel