casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI1035X-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI1035X-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI1035X-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1035X-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180mA, 145mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 400mV @ 250µA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 250mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-89-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1035X-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI1035X-T1-GE3-FT |
SIA906EDJ-T1-GE3
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SIA911ADJ-T1-GE3
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SIA911DJ-T1-E3
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