casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SIA914DJ-T1-E3
codice articolo del costruttore | SIA914DJ-T1-E3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SIA914DJ-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA914DJ-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 10V |
Potenza - Max | 6.5W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA914DJ-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIA914DJ-T1-E3-FT |
SP8M3FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M3TB
Rohm Semiconductor
SP8M4FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M51TB1
Rohm Semiconductor
SP8M5FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M5TB
Rohm Semiconductor
SP8M6FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M6TB
Rohm Semiconductor
SP8M70TB1
Rohm Semiconductor
SP8M7FU6TB
Rohm Semiconductor
XC6SLX9-2TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-5TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-2FGG484C
Xilinx Inc.
EP20K1000EFC672-1
Intel
5AGXBA1D4F27I5N
Intel
XC6SLX9-N3CSG225I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-4300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RC240-4
Intel