casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SIA911DJ-T1-E3
codice articolo del costruttore | SIA911DJ-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIA911DJ-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA911DJ-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.8nC @ 8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 355pF @ 10V |
Potenza - Max | 6.5W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA911DJ-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIA911DJ-T1-E3-FT |
SP8K4TB
Rohm Semiconductor
SP8K5FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K5TB
Rohm Semiconductor
SP8M10FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M10TB
Rohm Semiconductor
SP8M2FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M3FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M3TB
Rohm Semiconductor
SP8M4FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M51TB1
Rohm Semiconductor
XC6VLX130T-L1FFG484C
Xilinx Inc.
P1AFS1500-2FG484
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F40I3N
Intel
XC4010L-5PC84C
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XC7K160T-1FB484I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FFG672I
Xilinx Inc.
XC5VLX85-1FF676I
Xilinx Inc.
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel