casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SIA911DJ-T1-E3
codice articolo del costruttore | SIA911DJ-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIA911DJ-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA911DJ-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.8nC @ 8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 355pF @ 10V |
Potenza - Max | 6.5W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA911DJ-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIA911DJ-T1-E3-FT |
SP8K4TB
Rohm Semiconductor
SP8K5FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K5TB
Rohm Semiconductor
SP8M10FU6TB
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SP8M10TB
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SP8M2FU6TB
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SP8M3FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M3TB
Rohm Semiconductor
SP8M4FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M51TB1
Rohm Semiconductor