casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SIA913DJ-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIA913DJ-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIA913DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA913DJ-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 6V |
Potenza - Max | 6.5W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA913DJ-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIA913DJ-T1-GE3-FT |
SP8M10TB
Rohm Semiconductor
SP8M2FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M3FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M3TB
Rohm Semiconductor
SP8M4FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M51TB1
Rohm Semiconductor
SP8M5FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M5TB
Rohm Semiconductor
SP8M6FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M6TB
Rohm Semiconductor
EX256-PTQ100I
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FG676C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FFG1517C
Xilinx Inc.
APA150-FG144I
Microsemi Corporation
ICE5LP1K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FC484-3
Intel
EP4SGX290FH29C4N
Intel
EP2AGX65DF25C6NES
Intel
5SGXEB6R3F43C2N
Intel
LFE3-150EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation