casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SIA914DJ-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIA914DJ-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIA914DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA914DJ-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 10V |
Potenza - Max | 6.5W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA914DJ-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIA914DJ-T1-GE3-FT |
SP8M3TB
Rohm Semiconductor
SP8M4FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M51TB1
Rohm Semiconductor
SP8M5FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M5TB
Rohm Semiconductor
SP8M6FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M6TB
Rohm Semiconductor
SP8M70TB1
Rohm Semiconductor
SP8M7FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M7TB
Rohm Semiconductor
LFXP2-5E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FGG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-3FGG484C
Xilinx Inc.
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
A3P125-VQG100T
Microsemi Corporation
A42MX16-3VQG100I
Microsemi Corporation
EP3C5U256I7
Intel
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation