casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI1025X-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI1025X-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI1025X-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1025X-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 190mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 15V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 23pF @ 25V |
Potenza - Max | 250mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-89-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1025X-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI1025X-T1-GE3-FT |
SIA778DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA906EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA911ADJ-T1-GE3
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SIA911DJ-T1-E3
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SIA911DJ-T1-GE3
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SIA914DJ-T1-E3
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AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C55U484I7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
5SGXMA7K2F40I3N
Intel
XC7VX690T-2FFG1926C
Xilinx Inc.
LFEC20E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180FF35I4
Intel