casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SIA778DJ-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIA778DJ-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIA778DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA778DJ-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V, 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A, 1.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 6V |
Potenza - Max | 6.5W, 5W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA778DJ-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIA778DJ-T1-GE3-FT |
SP8K31TB1
Rohm Semiconductor
SP8K3FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K4FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K4TB
Rohm Semiconductor
SP8K5FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K5TB
Rohm Semiconductor
SP8M10FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M10TB
Rohm Semiconductor
SP8M2FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M3FU6TB
Rohm Semiconductor
LFE2-20SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005-4AC
Microchip Technology
5SGXEA3K2F40C1N
Intel
EP4SGX360KF40C2N
Intel
XC7VX485T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-2FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-3
Intel
5CEBA2U15I7
Intel