casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SBRT40V100CTE
codice articolo del costruttore | SBRT40V100CTE |
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Numero di parte futuro | FT-SBRT40V100CTE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SBRT40V100CTE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Super Barrier |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 730mV @ 20A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBRT40V100CTE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBRT40V100CTE-FT |
MBR500150CT
GeneSiC Semiconductor
MBR500150CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR500200CT
GeneSiC Semiconductor
MBR500200CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50020CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50020CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50030CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50030CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50035CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50035CTR
GeneSiC Semiconductor
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
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EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
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XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel