casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR50035CT
codice articolo del costruttore | MBR50035CT |
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Numero di parte futuro | FT-MBR50035CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR50035CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 500A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 250A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR50035CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR50035CT-FT |
MBR2X050A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A120
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A120
GeneSiC Semiconductor
LCMXO640C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-5FGG320C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FG484I
Microsemi Corporation
AFS600-1FG484K
Microsemi Corporation
A3PN060-Z1VQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K3F40I3N
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
5SGXEB5R2F43I2LN
Intel
EP2S60F1020C3N
Intel