casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR50030CTR
codice articolo del costruttore | MBR50030CTR |
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Numero di parte futuro | FT-MBR50030CTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR50030CTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 500A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 250A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR50030CTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR50030CTR-FT |
MBR2X050A045
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A120
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A100
GeneSiC Semiconductor
LFE2-6E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-5FG256C
Xilinx Inc.
EP4CE15F23C7
Intel
5SGXMA7N3F40I4N
Intel
5SGXEABK2H40C2L
Intel
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS70F780C8
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel