casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR50035CTR
codice articolo del costruttore | MBR50035CTR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MBR50035CTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR50035CTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 500A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 250A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR50035CTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR50035CTR-FT |
MBR2X050A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A120
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A120
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A150
GeneSiC Semiconductor
EX128-TQ64I
Microsemi Corporation
XC2S50-5FGG256C
Xilinx Inc.
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484M
Microsemi Corporation
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19C6N
Intel
5CGXFC7C7U19C8N
Intel
10AX057N2F40E2SG
Intel
EP20K1000CB652C7N
Intel
EPF10K50SQC208-3
Intel