casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR500150CTR
codice articolo del costruttore | MBR500150CTR |
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Numero di parte futuro | FT-MBR500150CTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR500150CTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 250A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 250A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR500150CTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR500150CTR-FT |
MBR2X080A045
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A200
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X030A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X030A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A045
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A100
GeneSiC Semiconductor
A40MX02-FVQG80
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016C3U19E2LG
Intel
EP3SL340F1760C4N
Intel
XC2VP20-5FF1152C
Xilinx Inc.
XC2V2000-4FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel