casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / SBR40U60CTE
codice articolo del costruttore | SBR40U60CTE |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SBR40U60CTE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SBR® |
SBR40U60CTE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Super Barrier |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 20A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 60V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR40U60CTE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBR40U60CTE-FT |
MBR500150CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR500200CT
GeneSiC Semiconductor
MBR500200CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50020CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50020CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50030CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50030CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50035CT
GeneSiC Semiconductor
MBR50035CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50040CT
GeneSiC Semiconductor
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel